ГТ309А Транзистор германиевый

Транзистор ГТ309А германиевый диффузионно-сплавной, структуры p-n-p, усилительный высокочастотный малой мощности, применяется в усилителях ВЧ.

Технические характеристики транзистора кремниевого диффузионно-сплавного усилительного высокочастотного малой мощности ГТ308В:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт - 75
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 120
Пробивное напряжение коллектор-база, В - 10
Пробивное напряжение эмиттер-база, В – 1,5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА - 10
Обратный ток коллектора, не более, мкА - 5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером, - от 20 до 70
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс - 500