КП303И Транзистор
| Наличие на складе: | В наличии |
|---|---|
| Остаток на складе: | 500 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор КП303И кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, применяется во входных каскадах усилителей низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного полевого КП303И:
Рассеиваемая мощность сток-исток, мВт – 200
Напряжение отсечки транзистора, В – 0,5 до 2
Максимальное напряжение сток-исток, В – 25
Максимальное напряжение затвор-сток, В – 30
Максимальное напряжение затвор-исток, В – 30
Ток стока (постоянный), мА – 20
Начальный ток стока, мА – от 1,5 до 5
Крутизна характеристики, мА/В – от 2 до 6
Входная емкость транзистора, не более, пФ – 6
Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току, не более, пФ – 2
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)