КТ315Б Транзистор
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 3 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзистор КТ315Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала. Масса не более 0,18 г. Тип корпуса: КТ-13.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного КТ315Б:
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора, мА - 100
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, В - 20
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В - 6
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора, мВт - 150
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером - от 50 до 350
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, В - 0,4
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход, мкА - 1
Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц - 250
Емкость коллекторного перехода, ПФ - 7
Емкость коллекторного перехода, пФ - 10
Максимально допустимая температура перехода, °С - 120
Максимально допустимая температура окружающей среды, °С - от -60 до +100
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)