КТ503Г Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 97 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор КТ503Г кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, применяется в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного универсального КТ503Г:
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора, А - 0,15
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора, А - 0,35
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора, В - 40
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 60
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора, Вт - 0,35
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора - от 80 до 240
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, В - 0,6
Обратный ток коллектора, мкА - 1
Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц - 5
Емкость коллекторного перехода, пФ - 50
Максимально допустимая температура перехода, °С - 125
Максимально допустимая температура окружающей среды, °С - от -40 до +85
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)