КТ603Б Транзистор

Транзистор КТ603Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n, применяется в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 1,75 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного КТ603Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт - 0,5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 200
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 30
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА - 300
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА - 600
Обратный ток коллектора, не более, мкА - 10
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее - 60
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 7