КТ646А Транзистор
| Наличие на складе: | В наличии |
|---|---|
| Остаток на складе: | 30 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор КТ646А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 1 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного КТ646А:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт - 1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 250
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 60
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 1
Обратный ток коллектора, не более, мкА - 10
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - от 40 до 200
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 1,7
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс - 120