МП116 Транзистор

Транзистор МП116 кремниевый сплавной p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума, предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса не более 2г. Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические характеристики транзистора кремниевого сплавного усилительного низкочастотного МП116:
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора, мА - 10.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора, мА - 50.
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, В - 15.
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 15.
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В - 10.
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора, мВт - 150.
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора - от 15 до 100.
Обратный ток коллектора, не более, мкА - 10.
Граничная частота коэффициента передачи тока, не менее, МГц - 0,5.
Максимально допустимая температура перехода, °С - 150.
Максимально допустимая температура окружающей среды, °С - от -60 до +100.