П416 Транзистор

Транзистор П416 германиевый диффузионный высокочастотный структура p-n-p малой мощности, предназначен для работы в переключательном режиме.

Условия эксплуатации транзистора германиевого диффузионного высокочастотного П416:
1. При включении транзистора в цепь с электрическим напряжением коллекторный контакт должен присоединяться последним и отключаться первым.
2. В работе не разрешается превышать предельно-допустимые значения токов, напряжений, и мощности во всем интервале температур, не рекомендуется работа в совмещенных предельных режимах.
3. При эксплуатации транзисторов в условиях механических ускорений более 2g транзисторы необходимо крепить за корпус.
4. При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его самовозбуждения.
5. Разрешается изгиб выводов не ближе 3-ч мм от корпуса транзистора с радиусом R≥1,5 мм.
6. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Пайку следует производить паяльником мощностью не выше 50-60Вт в течение не более 10 сек. (Температура пайки не более +200°С). При пайке должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора.
7. Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса путем погружения не более чем на 10 сек. в припой с температурой не выше 260°С (для печатных схем).

Технические характеристики транзистора германиевого диффузионного высокочастотного П416:
Напряжение коллектор-эмиттер при короткозамкнутых электродах эмиттер-база, В - 15.
Напряжение коллектор-эмиттер при запертом эмиттере, В - 20.
Обратное напряжение эмиттер-база, В - 3.
Напряжение коллектор-эмиттер в цепи базы не более, Ом - 1000.
Ток коллектора, мА - 25.
Ток коллектора в импульсе, мА - 120.
Мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт - 120.
Мощность в импульсе, мВт - 360.
Температура перехода, °С - +85.
Температура окружающей среды, °С - от -55 до +60.