КТ878Б Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 85 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор КТ878Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный, применяется в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 17 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного переключательного КТ878Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 100
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 10
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 600
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 25
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А - 50
Обратный ток коллектора, не более, мА - 3
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - от 12 до 50
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 0,1
Время рассасывания, не более, нс - 3000