КТ815Б Транзистор

Транзистор КТ815Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Имеет пластмассовый корпус с жесткими выводами. Масса не более 1 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

Технические характеристики транзистора кремниевого меза-эпитаксиально-планарного КТ815Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 10
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 3
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 50
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 1,5
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А - 3
Обратный ток коллектора, не более, мА - 0,05
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее - 40
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 1,2