КТ831В Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 51 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор КТ831В кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях мощности, преобразователях. Имеет металлический корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса не более 2 г. Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39).
Технические характеристики транзистора меза-эпитаксиально-планарного усилительного КТ831В:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 4
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 80
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 2
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее -25
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 0,6
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)