2ТС398Б-1Н Транзистор
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 72 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзисторная сборка 2ТС398Б-1Н, состоит из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами, применяется в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. Бескорпусная с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя. Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее сборок. Масса не более 0,005 г.
Технические характеристики сборки транзисторной из двух кремниевых эпитаксиально-планарных усилительных транзисторов 2ТС393Б-1Н:
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора, мА – 10
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора, мА – 20
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, В – 10
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 10
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В – 4
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора, мВт – 30
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора – от 40 до 250
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 0,5
Граничная частота коэффициента передачи тока, не менее, МГц – 1000
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 1,5
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 2
Максимально допустимая температура перехода, °С – 150
Максимально допустимая температура окружающей среды, °С – от -60 до +125
Описание:
Матрица транзисторная
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)