КТ660А Транзистор
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 1137 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзистор КТ660А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный, применяется в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний. Имеет пластмассовый корпус с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Маркируется:
- КТ660А - одна синяя полоса;
- КТ660Б - две синие полосы.
Масса не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного переключательного КТ660А:
Максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора, А - 0,8
Максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора, А - 1
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, В - 45
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 50
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора, Вт - 0,5
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора - от 110 до 220
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора, не более, В - 0,5
Обратный ток коллектора, не более, мкА - 1
Обратный ток эмиттера, не более, мкА - 0,5
Граничная частота коэффициента передачи тока, не менее, МГц - 200
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 10
Максимально допустимая температура перехода, °С - 150
Максимально допустимая температура окружающей среды, °С - от -40 до +85