КТ897Б Транзистор

Транзистор КТ897Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n составной, применяется в выходных каскадах электронного коммутатора в системах зажигания автомобилей, вторичных источниках питания и других импульсных схемах с индуктивной нагрузкой. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 20 г.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного составного КТ897Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт - 3
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 10
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 200
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 20
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее - 400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 0,23