3П339А-2 Транзистор
| Наличие на складе: | В наличии |
|---|---|
| Остаток на складе: | 571 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор 3П339А-2 полевой арсенид-галлиевый планарный с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 8 и 17,4 ГГц, применяется в малошумящих усилителях, усилителях с расширенным динамическим диапазоном и широкополосных усилителях с повышенными требованиями к входной мощности в составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. Маркируется черной точкой и полоской на ножке. Масса не более 0,15 г.
Технические характеристики транзистора полевого арсенид-галлиевого планарного 3П339А-2:
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора, мВт - 250
Максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора, ГГц - 17,4
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В - 5,5
Максимально допустимое напряжение затвор-сток, В - 7
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В - 5
Напряжение отсечки полевого транзистора, не более, В - 5
Ток утечки затвора, не более, мкА - 1
Крутизна характеристики полевого транзистора, не менее, мА/В - 10
Начальный ток стока, мА - от 50 до 90
Коэффициент шума транзистора, не более, дБ - 2,4
Коэффициент усиления по мощности транзистора, не менее, дБ - 5
Температура окружающей среды, °С - от -60 до +125