2ТС393Б-1Н Матрица транзисторная

Транзисторная сборка 2ТС393Б-1Н, состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами, применяется в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов. Бескорпусная с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя. Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов. Масса не более 0,005 г.

Технические характеристики сборки транзисторной из двух кремниевых эпитаксиально-планарных усилительных транзисторов 2ТС393Б-1Н:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, мВт – 20
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 500
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 15
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 10
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА – 20
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 0,2
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – от 30 до 140
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 60
Коэффициент шума транзистора, не более, дБ – 6
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс – 80