К155РУ7 Микросхема

Микросхема К155РУ7, представляет собой оперативное запоминающее устройство на 1024 бит (1024 слов х 1 разряд) со схемами управления. ИС выполняет следующие алгоритмы функционирования: запись, хранение, считывание информации при произвольной последовательности адресов. Содержит 7500 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2. Масса не более 2г.

Структура условного обозначения микросхемы К155РУ7:
   - К – категория качества:
      - _ – интегральная схема для спецназначения (приемка "5");
      - К – интегральная схема с приемкой ОТК для широкого применения (приемка "1");
      - ОС – интегральная схема особого качества для спецназначения (отдельные ТУ);
      - ОСМ – особого качества для спецназначения (приемка "5" + дополнение)
      - ОСД – интегральная схема особо надежная для спецназначения (приемка "5" + дополнение, ранее обозначались буквой "Н" в конце типономинала);
   - 1 - тип исполнения:
      - 1, 5, 6, 7, 9 – полупроводниковые микросхемы;
      - 2, 4, 8 – гибридные микросхемы;
      - 3 – прочие микросхемы (пленочные, керамические и т.д.);
   - 55 – номер серии: номер разработки конкретного типа исполнения, две (от 00 до 99) или три (от 000 до 999) цифры;
   - РУ – обозначение подгруппы и вида функционального назначения, две буквы:
      - Р – схемы запоминающих устройств:
         - РУ – статические оперативные запоминающие устройства;
   - 7 – номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии, одна или две цифры.

Общие рекомендации по применению микросхем серии К155:
Температура пайки 235±5°С, продолжительность пайки (2±0,5) с, расстояние от нижней плоскости корпуса до места пайки не менее 1мм. Температура пайки при автоматизированной сборке не более 265°С, продолжительность пайки не более 4с. Допустимое значение статического потенциала 200В.
Не рекомендуется проведение каких-либо электрических сигналов (в том числе шин "питание" и "корпус") к неиспользуемым выводам микросхем. При ремонте аппаратуры замену микросхем необходимо производить при отключенных источниках питания.
Допускается напряжение на входе микросхемы не менее 0,4В и напряжение на выходе не менее 0,3В.
Свободные входы микросхем, не используемые согласно электрической схеме аппаратуры, должны быть подключены к источнику напряжения 5В±10% через резистор с сопротивлением 1кОм. Одновременно подключается 20 входов.
Для случайных помеховых сигналов, превышающих по амплитуде нормы ТУ, для случаев кратковременных нарушений стабилизации питающих напряжений допускается кратковременное воздействие напряжения питания 7В.

Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии К155:
Напряжение питания, В – от 4,75 до 5,25.
Входное напряжение низкого уровня, не более, В – 0,4.
Входное напряжение высокого уровня, не менее, В – 2,4.
Входной ток низкого уровня, не более, мА – 16;
   - К155ЛЕ5, КМ155ЛЕ5, К155ЛЕ6, КМ155ЛЕ6 – 48.
Выходной ток высокого уровня, не более, мА – -0,8;
   - К155ЛЕ6, КМ155ЛЕ6 при U_он=2В – -42,4.
Ток нагрузки для К155РУ5, не более, мА – 20.
Емкость нагрузки, не более, пФ – 15.
Длительность фронта и среза входного импульса, не более, нс – 150.
Температура окружающей среды, °С:
   - К155 – от -10 до +70;
   - КМ155 – от -45 до +85.

Технические характеристики микросхемы К155РУ7:
Номинальное напряжение питания, В – 5±5%.
Выходное напряжение низкого уровня, не более, В – 0,45.
Выходное напряжение высокого уровня, не менее, В – 2,4.
Напряжение на антизвонном диоде, не менее, В – -1,5.
Входной ток низкого уровня, не более, мА – -0,4.
Входной ток высокого уровня, не более, мА – 0,04.
Входной ток в состоянии "выключено", мкА – ±50.
Ток короткого замыкания, не более, мА – 100.
Ток потребления, не более, мА – 140.
Удельная потребляемая мощность, не более, мВт/бит – 0,7.
Время выборки адреса для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, не более, нс – 45.
Время выборки адреса для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, не более, нс – 45.
Время выборки разрешения для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня, не более, нс – 35.
Время выборки разрешения для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня, не более, нс – 35.
Время выборки хранения для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние, не более, нс – 35.
Время выборки хранения для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние, не более, нс – 35.
Время выборки записи для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние, не более, нс – 35.
Время выборки записи для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние, не более, нс – 35.
Время выборки считывания для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня, не более, нс – 40.
Время выборки считывания для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня, не более, нс – 40.
Входная емкость, не более, пФ – 5.
Выходная емкость, не более, пФ – 8.