КР1533ИР23 Микросхема

Микросхема КР1533ИР23, представляет собой восьмиразрядный регистр на триггерах с защелкой (D-типа) с тремя состояниями на выходе. Корпус типа 2140.20-8. Масса не более 2,6г.

Структура условного обозначения микросхемы КР1533ИР23:
   - К – категория качества:
      - _ – интегральная схема для спецназначения (приемка "5");
      - К – интегральная схема с приемкой ОТК для широкого применения (приемка "1");
      - ОС – интегральная схема особого качества для спецназначения (отдельные ТУ);
      - ОСМ – особого качества для спецназначения (приемка "5" + дополнение)
      - ОСД – интегральная схема особо надежная для спецназначения (приемка "5" + дополнение, ранее обозначались буквой "Н" в конце типономинала);
   - Р – материал корпуса:
      - А – пластмассовый планарный корпус (четвертого типа);
      - Е – металлополимерный корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (второго типа);
      - И – стеклокерамический планарный корпус (четвертого типа);
      - М – метталокерамический, керамический или стеклокерамический корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (второго типа);
      - Н – кристаллоноситель (безвыводной);
      - Р – пластмассовый корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (второго типа);
      - С – стеклокерамический корпус с двухрядным расположением выводов;
      - Ф – микрокорпус;
   - 1 – тип исполнения:
      - 1, 5, 6, 7, 9 – полупроводниковые микросхемы;
      - 2, 4, 8 – гибридные микросхемы;
      - 3 – прочие микросхемы (пленочные, керамические и т.д.);
   - 533 – номер серии: номер разработки конкретного типа исполнения, две (от 00 до 99) или три (от 000 до 999) цифры;
   - ИР – обозначение подгруппы и вида функционального назначения, две буквы:
      - И – схемы цифровых устройств:
         - ИР – регистры;
   - 23 – номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии, одна или две цифры.

Технические характеристики микросхемы КР1533ИР23:
Номинальное напряжение питания, В – 5±10%.
Выходное напряжение низкого уровня, не более, В:
   - при I⁰_ВЫХ=12мА – 0,4;
   - при I⁰_ВЫХ=24мА – 0,5.
Выходное напряжение высокого уровня, не менее, В:
   - при I¹_ВЫХ=-2,6мА – 2,4;
   - при I¹_ВЫХ=-0,4мА – 2,5.
Прямое падение напряжения на антизвонном диоде, не более, В – |-1,5|.
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения при U_П=5,5В, не более, мА – 28.
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения при U_П=5,5В, не более, мА – 19.
Ток потребления в состоянии "выключено" при U_П=5,5В, не более, мА – 31.
Входной ток низкого уровня, не более, мА – |-0,2|.
Входной ток высокого уровня, не более, мА – 20.
Входной ток пробивной, не более, мА – 0,1.
Выходной ток, мА – от |-30| до |-112|.
Выходной ток высокого уровня в состоянии "выключено", не более, мкА – 20.
Выходной ток низкого уровня в состоянии "выключено", не более, мкА – |-20|.
Время задержки распространения сигнала при включении по входу C, не более, нс – 16.
Время задержки распространения сигнала при выключении по входу C, не более, нс – 12.
Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня, не более, нс – 17.
Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния высокого (низкого) уровня в состояние "выключено", не более, нс – 40.
Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня, не более, нс – 18.
Емкость входа, не более, пФ – 5.
Емкость выхода, не более, пФ – 7.