КР531КП14 Микросхема
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 96 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Микросхема КР531КП14, представляет собой четырехразрядный селектор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями с инверсными выходами. Содержит 191 интегральный элемент. Корпус типа 201.16-16. Масса не более 1,4г.
Структура условного обозначения микросхемы КР531КП14:
- К – категория качества:
- _ – интегральная схема для спецназначения (приемка "5");
- К – интегральная схема с приемкой ОТК для широкого применения (приемка "1");
- ОС – интегральная схема особого качества для спецназначения (отдельные ТУ);
- ОСМ – особого качества для спецназначения (приемка "5" + дополнение)
- ОСД – интегральная схема особо надежная для спецназначения (приемка "5" + дополнение, ранее обозначались буквой "Н" в конце типономинала);
- Р – материал корпуса:
- А – пластмассовый планарный корпус (четвертого типа);
- Е – металлополимерный корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (второго типа);
- И – стеклокерамический планарный корпус (четвертого типа);
- М – метталокерамический, керамический или стеклокерамический корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (второго типа);
- Н – кристаллоноситель (безвыводной);
- Р – пластмассовый корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (второго типа);
- С – стеклокерамический корпус с двухрядным расположением выводов;
- Ф – микрокорпус;
- 5 – тип исполнения:
- 1, 5, 6, 7, 9 – полупроводниковые микросхемы;
- 2, 4, 8 – гибридные микросхемы;
- 3 – прочие микросхемы (пленочные, керамические и т.д.);
- 31 – номер серии: номер разработки конкретного типа исполнения, две (от 00 до 99) или три (от 000 до 999) цифры;
- КП – обозначение подгруппы и вида функционального назначения, две буквы:
- К – коммутаторы и ключи:
- КП – прочие;
- 14 – номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии, одна или две цифры.
Технические характеристики микросхемы КР531КП14:
Номинальное напряжение питания, В – 5±5%.
Выходное напряжение низкого уровня, не более, В – 0,5.
Выходное напряжение высокого уровня, не менее, В – 2,4.
Напряжение на антизвонном диоде, не более, В – |-1,2|.
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения, не более, мА – 81.
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения, не более, мА – 56.
Ток потребления в третьем состоянии, не более, мА – 87.
Входной ток низкого уровня по выводам, не более, мА:
- 1 – |-4|.
- 2, 3, 5, 6, 10, 11, 13-15 – |-2|.
Входной ток высокого уровня по выводам, не более, мкА:
- 1 – 100;
- 2, 3, 5, 6, 10, 11, 13-15 – 50.
Ток пробивного напряжения, не более, мА – 1.
Ток короткого замыкания, мА – от -40 до -100.
Выходной ток в третьем состоянии при низком уровне на выходе, не более, мкА – |-50|.
Выходной ток в третьем состоянии при высоком уровне на выходе, не более, мкА – 50.
Время задержки распространения при включении (выключении) по выводам, не более, нс:
- от 2, 3 до 4; от 5, 6 до 7; от 10, 11 до 9; от 13, 14 до 12 – 6;
- от 1 до 4, 7, 9, 12 – 12.
Время задержки распространения при включении из третьего состояния в состояние высокого уровня, не более, нс – 19,5.
Время задержки распространения при включении из третьего состояния в состояние низкого уровня, не более, нс – 21.
Время задержки распространения при включении третьего состояния из состояния низкого уровня, не более, нс – 16.
Время задержки распространения при включении третьего состояния из состояния высокого уровня, не более, нс – 10,5.
Описание:
Микросхема
(Микросхемы)
Микросхема
(Микросхемы)
Микросхема
(Микросхемы)