2Д231Б Диод

Диод 2Д231Б кремниевый, эпитаксиально-планарный, предназначен для применения во вторичных источниках электропитания в диапазоне частот, кГц:
   - 2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В – от 20 до 200;
   - 2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е – от 10 до 200.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 8 г. Тип корпуса: КД-11.

Технические характеристики диода кремниевого эпитаксиально-планарного 2Д231Б:
Максимальное импульсное обратное напряжение, В – 200
Максимальный прямой ток, А – 10
Максимальный импульсный прямой ток, А – 150
Постоянное прямое напряжение, В – 1
Время обратного восстановления, нс – 50
Максимальная рабочая частота диода, кГц – 200