2Д219А Диод

Диод 2Д219А кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шотки, предназначен для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах от 10 до 200 кГц. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 8 г. Тип корпуса: КД-11.

Технические характеристики диода кремниевого эпитаксиального 2Д219А:
Максимальное импульсное обратное напряжение, В – 15
Максимальный прямой ток, А – 10
Максимальный импульсный прямой ток, А – 250
Постоянное прямое напряжение, не более, В – 0,6
Максимальная рабочая частота диода, кГц – 200