2Д907Г-1Н Диод
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 76 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Диодная матрица 2Д907Г-1Н, состоит из двух (2Д907Б-1, КД907Б-1) и четырех (2Д907Г-1, КД907Г-1) кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим катодом. Применяется в герметизированной аппаратуре. Бескорпусная, с гибкими выводами. Тип прибора, знак полярности приводятся на индивидуальной таре. Масса матрицы 5 мг.
Технические характеристики диодной матрицы из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов 2Д909Г-1Н:
Максимальное постоянное обратное напряжение – 40
Максимальное импульсное обратное напряжение – 60
Максимальный (средний) прямой ток – 50
Максимальный импульсный прямой ток – 700
Постоянное прямое напряжение на диоде при заданном прямом токе через него – 1,0/50
Обратный ток диода при предельном обратном напряжении – 5
Максимальная рабочая частота диода – 10
Общая емкость диода – 5
Температура окружающей среды – от -60 до +85
Описание:
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)