АА112А Диод
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 50 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Диод АА112А арсенид-галлиевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером Шоттки, смесительный, применяется в преобразователях частоты сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается в стеклянном корпусе с жесткими выводами типа КД-1-3 подобранным в пару (3А112АР, 3А112АГ) и четверку (АА112АР, АА112АГ). Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Отрицательный вывод диода - со стороны кристалла. Масса диода не более 0,035 г.
Технические характеристики диода арсенид-галлиевого планарно-эпитаксиального смесительного АА112А:
Потери преобразования, дБ – 7,5
Выпрямленный ток, мА – от 1 до 2,5
Выходное шумовое отношение – 1,6
Нормированный коэффициент шума, дБ – 6,5
Коэффициент стоячей волны по напряжению – 1,8
Выходное сопротивление, Ом – от 300 до 550
Непрерывная рассеиваемая мощность, мВт – 20
Импульсная падающая мощность, мВт – 150
Значение допустимого статического потенциала, В – 200
Температура окружающей среды, °С – от -60 до +100
Минимальная наработка, ч – 25000
Срок сохраняемости, лет – 25
Описание:
Диод
(Диоды,тиристоры)