КД503Б Диод
| Наличие на складе: | В наличии |
|---|---|
| Остаток на складе: | 2667 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Диод КД503Б кремниевый, эпитаксиальный, импульсный, применяется в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 г. Тип корпуса: КД-121.
Технические характеристики диода кремниевого эпитаксильано-импульсного КД503Б:
Максимальное постоянное обратное напряжение, В – 30
Максимальный прямой ток, мА – 20
Рабочая частота диода, мГц – 350
Постоянное прямое напряжение, не более, В – 1
Постоянный обратный ток, не более, мкА – 10
Время обратного восстановления, мкс – 0,01
Общая емкость, пФ – 2,5
Описание:
Диод КД503Б.PDF
Размер:65.12 КБ
Похожие товары
КД503А
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)
КД509А
Диод
(Диоды,тиристоры)
Диод
(Диоды,тиристоры)