2Т856А Транзистор
| Наличие на складе: | В наличии |
|---|---|
| Остаток на складе: | 18 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор 2Т856А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный, применяется в переключающих устройствах. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 16 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного переключательного 2Т856А:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт – 75
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, более, МГц – 10
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 1000
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А – 10
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А – 12
Обратный ток коллектора, не более, мА – 3
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – от 10 до 30
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 100 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более, Ом – 0,3