1Т308В

Транзистор

1Т308В
1Т308В
1Т308В
Наличие на складе: В наличии
Остаток на складе: 1766 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Транзистор 1Т308В германиевый диффузионно-сплавной структуры p-n-p универсальный, применяется в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 2,2 г.

Технические характеристики транзистора германиевого диффузионно-сплавного универсального 1Т308В:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт – 150
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой, не менее, МГц – 120
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера, В – 20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора, В – 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 50
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, не более, мкА – 5
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала – от 80 до 150
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 24
Коэффициент шума транзистора, не более, дБ – 8
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс – 400

Описание:

Транзистор 1Т308В.PDF Размер:125.34 КБ
Похожие товары
1Т308Б Транзистор
1Т308Б
Транзистор
(Транзисторы)