2П313Б

Транзистор

Фотография отсутствует
Наличие на складе: В наличии
Остаток на складе: 29 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Транзистор 2П313Б кремниевый диффузионно-планарный полевой с изолированным затвором и каналом n-типа, применяется в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 1 г. Тип корпуса: КТ-13.

Технические характеристики транзистора кремниевого диффузионно-планарного полевого 2П313Б:
Рассеиваемая мощность сток-исток, мВт – 120
Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком, не менее, В – 6
Максимальное напряжение сток-исток, В – 15
Максимальное напряжение затвор-сток, В – 15
Максимальное напряжение затвор-исток, В – 10
Ток стока (постоянный), мА – 15
Крутизна характеристики, мА/В – от 5 до 10
Входная емкость транзистора, не более, пФ – 6,8
Емкость обратной связи, не более, пФ – 0,8
Рабочая частота транзистора, МГц – 300

Описание:

Транзистор 2П313Б.PDF Размер:60.41 КБ