2Т396А-2 Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 86 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор 2Т396А-2 кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с ненормированным коэффициентом шума, применяется в усилителях сверхвысоких частот. Выпускается бескорпусным на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием в сопроводительной таре. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,003 г, транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,05 г.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного 2Т396А-2:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт – 30
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 2100
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 15
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 40
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 0,5
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – от 40 до 250
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 1,5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс – 15