2Т837В

Транзистор

Фотография отсутствует
Наличие на складе: В наличии
Остаток на складе: 40 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Транзистор 2Т837В кремниевый эпитаксиально-диффузионный структуры p-n-p переключательный, применяется в усилителях и переключающих устройствах. Имеет пластмассовый корпус с жесткими выводами. Масса не более 2,5 г. Тип корпуса: КТ-28-2.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-диффузионного переключательного 2Т837В:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт – 30
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее, МГц – 3
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера, В – 45
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора, В – 15
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А – 8
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, не более, мА – 0,15
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – 40 до 180
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 0,8

Описание:

Транзистор 2Т837В.PDF Размер:60.58 КБ
Похожие товары
Фотография отсутствует
2Т837А
Транзистор
(Транзисторы)