2ТС613Б Матрица транзисторная
| Наличие на складе: | В наличии |
|---|---|
| Остаток на складе: | 1099 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием реквизитов организации и количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзисторная матрица 2ТС613Б, состоит из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов, применяется в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса не более 4 г.
Технические характеристики матрицы транзисторной 2ТС613Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт – 800
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 200
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 60
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 400
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА – 800
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 5
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – от 40 до 200
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 2,5
Время рассасывания, не более, нс – 100