КТ321Б Транзистор
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 100 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзистор КТ321Б кремниевый, эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный, применяется в импульсных усилителях и переключающих устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 2,2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного импульсного КТ321Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт - 210
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора, Вт - 20
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 60
Максимальное напряжение коллектор-база, В - 60
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА - 200
Обратный ток коллектора, не более, мА - 0,1
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала - от 40 до 120
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 80
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 3,6
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)