КТ816Б Транзистор

Транзистор КТ816Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, применяется в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 1 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

Технические характеристики транзистора кремниевого меза-эпитаксиально-планарного усилительного КТ816Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 25
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 3
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 45
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 3
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А - 6
Обратный ток коллектора, не более, мА - 0,1
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее -25
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 0,6