КТ819БМ Транзистор
Наличие на складе: | В наличии |
---|---|
Остаток на складе: | 42 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзистор КТ819БМ кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный, применяется в усилителях и переключающих устройствах. Имеет металлический корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса не более 20 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Также выпускаются в пластмассовом корпусе КТ-43 (ТО-218).
Технические характеристики транзистора меза-эпитаксиально-планарного переключательного КТ819БМ:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт - 2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 100
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 3
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 50
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 15
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А - 20
Обратный ток коллектора, не более, мА - 1
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее - 20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 0,4
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)