2Т603Б Транзистор
| Остаток на складе: | 175 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
| Добавить в корзину | |
Все вопросы по наличию и цене отправляйте по эл.почте или через заказ на сайте. Менеджеры отвечают в течении 24 часов.
Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения. Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием реквизитов организации и количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
Транзистор 2Т603Б кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n, применяется в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 1,75 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного 2Т603Б:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт - 0,5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 200
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 30
Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА - 300
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА - 600
Обратный ток коллектора, не более, мкА - 3
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - от 60 до 180
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 7
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)