WML025N06HG2 Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 54 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием реквизитов организации и количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WML025N06HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching performance.
В WML025N06HG2 используется технология Wayon 2-го поколения power trench MOSFET, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективного быстрого переключения.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO220F |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 180 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 3.2 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 3.2 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 0 Ом |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WML025N06HG2.PDF
Размер:55.62 КБ
Документы:
Datasheet WML025N06HG2.pdf
Размер:373.05 КБ
WML10N65EM
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WML10N70C4
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WML10N80M3
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)