WMB043N10LGS Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 72 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMB043N10LGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMB043N10LGS использует передовую технологию power trench MOSFET от
Wayon, которая была специально разработана для минимизации
сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной
производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для
высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | PDFN8L5X6 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 120 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 4.5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 4.5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 6.7 мОм |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMB043N10LGS.PDF
Размер:52.99 КБ
Документы:
Datasheet WMB043N10LGS.pdf
Размер:568.6 КБ
WMB023N03LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMB025N06HG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMB025N06LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)