2Т709А

Транзистор

2Т709А
2Т709А
2Т709А
2Т709А
Наличие на складе: В наличии
Остаток на складе: 68 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Транзистор 2Т709А кремниевый мезапланарный структуры р-п-р составной усилительный, применяется в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса не более 9 г.

Технические характеристики транзистора кремниевого мезапланарного составного усилительного 2Т709А:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт – 30
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 3
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 10
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА – 20
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не более – 500
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 230

Описание:

Транзистор 2Т709А.PDF Размер:106.51 КБ