2Т837А

Транзистор

Фотография отсутствует
Доставка на склад: 1 неделя
В наличии: 76 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Транзистор 2Т837А кремниевый эпитаксиально-диффузионный структуры p-n-p переключательный, применяется в усилителях и переключающих устройствах. Имеет пластмассовый корпус с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Тип корпуса: КТ-28-2.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-диффузионного переключательного 2Т837А:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт – 30
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 3
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 80
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 15
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А – 8
Обратный ток коллектора, не более, мА – 0,15
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, от 15 до 120
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 0,8

Описание:

Транзистор 2Т837А.PDF Размер:60.65 КБ
Похожие товары
Фотография отсутствует
2Т837В
Транзистор
(Транзисторы)