WMM058N12HG2 Транзистор

Доставка на склад:	1 неделя
В наличии:	52 шт.
Оптовая цена:	Запросить цену

Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.

Добавить в корзину

Описание и технические параметры

WMM058N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMM058N12HG2 использует технологию Wayon 2-го поколения power trench MOSFET, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.

Технические характеристики
Корпус	TO263
Конфигурация и полярность	N
Максимальное напряжение сток-исток	120 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса	160 А
Сопротивление открытого канала (мин)	5.8 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min	5.8 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max	0 Ом
Максимальное напряжение затвора	20 В

Описание:

Транзистор WMM058N12HG2.PDF Размер:52.98 КБ

Документы:

Datasheet WMM058N12HG2.pdf Размер:520.66 КБ

Похожие товары

WMM043N10HGS
Транзистор
(Транзисторы)

WMM053NV8HGS
Транзистор
(Транзисторы)

Информация на сайте не является публичной офертой

Возврат к списку