2Т354Б-2

Транзистор

Фотография отсутствует
Доставка на склад: 1 неделя
В наличии: 68 шт.
Цена: Запросить цену

i Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества

Добавить в корзину


Описание и технические параметры

Транзистор 2Т354Б-2 кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях высокой и сверхвысокой частот. Бескорпусный на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием. Тип прибора указывается в этикетке. Масса не более 0,003 г.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного 2Т354Б-2:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт – 30
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 1500
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В – 10
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 4
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА – 20
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 0,5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером – от 90 до 360
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 1,3
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс – 35

Описание:

Транзистор 2Т354Б-2.PDF Размер:60.51 КБ
Похожие товары
Фотография отсутствует
2Т354Б-2Н
Транзистор
(Транзисторы)