2Т637А-2 Транзистор

Транзистор 2Т637А-2 кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусный с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип прибора указывается в этикетке. Масса не более 0,15 г.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного генераторного 2Т637А-2:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт – 1,5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 1300
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 30
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 2,5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 200
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА – 300
Обратный ток коллектора, не более, мА – 0,1
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – от 30 до 90
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 4,5
Выходная мощность транзистора, не менее, Вт – 0,4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более, пс – 3