WMB060N08HG2 Транзистор

Доставка на склад:	1 неделя
В наличии:	64 шт.
Оптовая цена:	Запросить цену

Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.

Добавить в корзину

Описание и технические параметры

WMB060N08HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

В WMB060N08HG2 используется технология Wayon 2-го поколения power trench MOSFET, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных систем быстрого переключения.

Технические характеристики
Корпус	PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность	N
Максимальное напряжение сток-исток	80 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса	82 А
Сопротивление открытого канала (мин)	6 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min	6 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max	0 Ом
Максимальное напряжение затвора	20 В

Описание:

Транзистор WMB060N08HG2.PDF Размер:52.99 КБ

Документы:

Datasheet WMB060N08HG2.pdf Размер:517.78 КБ

Найти все похожие товары

WMB023N03LG2
Транзистор
(Транзисторы)

WMB025N06HG2
Транзистор
(Транзисторы)

WMB025N06LG2
Транзистор
(Транзисторы)

Информация на сайте не является публичной офертой

Возврат к списку