WMS119N10LG2 Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 63 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMS119N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMS119N10LG2 использует технологию Wayon 2-го поколения power trench
MOSFET, которая была специально разработана для минимизации
сопротивления во включенном состоянии при сохранении превосходной
производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для
высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | SOP8L |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 11.5 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 13 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 13 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 17.5 мОм |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMS119N10LG2.PDF
Размер:52.98 КБ
Документы:
Datasheet WMS119N10LG2.pdf
Размер:471.96 КБ