2Т827А-5 Транзистор

Транзистор 2Т827А-5 кремниевый эпитаксиальный мезапланарный составной структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиального мезапланарного составного 2Т827А-5:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт – 125
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 4
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В – 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А – 20
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А – 40
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА – 3
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером – от 750 до 18000
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 0,2