WMK049N12HG2 Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 54 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMK049N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMK049N12HG2 использует технологию Wayon 2-го поколения power trench
MOSFET, которая была специально разработана для минимизации
сопротивления во включенном состоянии при сохранении превосходной
производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для
высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO-220-3 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 120 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 170 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 4.9 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 4.9 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 0 Ом |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMK049N12HG2.PDF
Размер:52.98 КБ
Документы:
Datasheet WMK049N12HG2.pdf
Размер:553.02 КБ
WMK025N06HG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMK025N06LG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMK043N10HGS
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)