WMM053NV8HGS Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 73 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMM053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
WMM053NV8HGS использует передовую технологию power trench MOSFET от Wayon, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных систем быстрого переключения.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO263 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 85 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 125 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 5.5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 5.5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 0 Ом |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMM053NV8HGS.PDF
Размер:52.98 КБ
Документы:
Datasheet WMM053NV8HGS.pdf
Размер:507.76 КБ
Похожие товары
WMM043N10HGS
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
WMM058N12HG2
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)