2Т3117А Транзистор

Транзистор 2Т3117А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, применяется в импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного импульсного 2Т3117А:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт – 300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 200
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 60
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 400
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 5
Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала – от 40 до 200
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом – 1,2