2Т203Г Транзистор Au
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 100 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзистор 2Т203Г кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, применяется в усилителях и импульсных устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного 2Т203Г:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт –150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 10
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 60
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 30
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 10
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером, не менее – 40
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, Ом – 25
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор Au
(Транзисторы)