2Т203В Транзистор Au

Транзистор 2Т203В кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, применяется в усилителях и импульсных устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного усилительного 2Т203В:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт –150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 5
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 15
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 10
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером – от 15 до 100
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, Ом – 25