WMB125N12LG2 Транзистор
| Доставка на склад: | 1 неделя |
|---|---|
| В наличии: | 92 шт. |
| Оптовая цена: | Запросить цену |
Важно!!! Все цены на сайте являются крупнооптовыми и обязательно требуют уточнения!!! Перед заказом обязательно запрашивайте цены с указанием реквизитов организации и количества. Информация на сайте не является публичной офертой.
Описание и технические параметры
WMB125N12LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
В WMB125N12LG2 используется технология Wayon 2-го поколения power
trench MOSFET, которая была специально разработана для минимизации
сопротивления в режиме включения при сохранении превосходной
производительности коммутации. Это устройство хорошо подходит для
высокоэффективных приложений с быстрой коммутацией.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Корпус | PDFN8L5X6 |
| Конфигурация и полярность | N |
| Максимальное напряжение сток-исток | 120 В |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | 61 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 12.5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min | 12.5 мОм |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max | 17 мОм |
| Максимальное напряжение затвора | 20 В |
Описание:
Транзистор WMB125N12LG2.PDF
Размер:55.66 КБ
Документы:
Datasheet WMB125N12LG2.pdf
Размер:527.01 КБ